特許

J-GLOBAL ID：201503005904870868

縦型半導体装置

発明者： 青井 佐智子 ,  渡辺 行彦 ,  斎藤 順 ,  鈴木 巨裕
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社デンソー
代理人 (1件)： 特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-271576
公開番号（公開出願番号）：特開2015-126192
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2015年07月06日
要約：

【課題】半導体装置2の周辺領域6の耐圧を高める。【解決手段】周辺領域6では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ領域32とガードリング30・・を形成し、さらにドリフト領域14の中間深さにドリフト領域14と反対導電型のフローティング領域40を形成する。フローティング領域40は、最内周のガードリング30aより内側の位置から半導体基板の外周8に向けて連続的に延びている。リサーフ領域32とドリフト領域14の界面から空乏層が広がるとともにドリフト領域14とフローティング領域40の界面からも空乏層が広がり、周辺領域6での耐圧が向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板を平面視したときに素子領域と素子領域を一巡する周辺領域を備えており、 素子領域では、半導体基板の表面に形成されている表面電極と、半導体基板の裏面に形成されている裏面電極と、前記表面電極に導通している表面側第1導電型領域と、前記裏面電極に導通している裏面側第1導電型領域と、前記表面側第1導電型領域と前記裏面側第1導電型領域を分離している第2導電型領域と、前記表面側第1導電型領域と前記裏面側第1導電型領域を分離している範囲の前記第2導電型領域にゲート絶縁膜を介して対向しているゲート電極が形成されており、前記ゲート電極の電圧によって前記表面電極と前記裏面電極の間の抵抗が変化し、 周辺領域では、半導体基板の表面に臨む範囲に形成されている第2導電型不純物低濃度領域と、半導体基板の表面に臨む範囲において素子領域を一巡している第2導電型不純物高濃度リング状領域の多重構造と、前記裏面側第1導電型領域の中間深さに形成されている第2導電型フローティング領域を備えており、前記第2導電型フローティング領域が最内周の前記第2導電型不純物高濃度リング状領域より内側の位置から半導体基板の外周に向けて連続的に延びていることを特徴とする縦型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12

FI (7件)：

H01L29/78 652N ,  H01L29/78 653C ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/06 301V ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/06 301D

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-182703   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-285245   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (3件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-182703   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
• 高耐圧半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-285245   出願人：株式会社東芝