積層体、保護層形成用組成物、キット、および、半導体デバイスの製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-066386
公開番号（公開出願番号）：特開2015-191940
出願日： 2014年03月27日
公開日（公表日）： 2015年11月02日
要約：

【課題】デバイスウェハのシリコン基板を研磨した後、デバイスウェハのシリコン基板側の面(研磨面)に凹凸形状が発生しにくく、かつ、高温でCVD工程によって電極を適切に形成できる保護層形成用組成物、上記保護層形成用組成物を用いてなる保護層を有する積層体、上記保護層形成用組成物を含むキット、および、半導体デバイスの製造方法の提供。【解決手段】 JIS K-7210に準拠した10kg荷重における200°Cでのメルトフローレートが4〜150g/10min以下である樹脂を含む、ウェハと支持基板とを接着するための保護層形成用組成物であって、上記保護層形成用組成物のJIS K-7127に準拠したヤング率が0.02GPa以下である、保護層形成用組成物。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

JIS K-7210に準拠した10kg荷重における200°Cでのメルトフローレートが4〜150g/10minである樹脂を含む、デバイスウェハと支持基板とを接着するための保護層形成用組成物であって、上記保護層形成用組成物のJIS K-7127に準拠したヤング率が0.02GPa以下である、保護層形成用組成物。

IPC (10件)：

H01L 21/02 , B32B 27/00 , C08L 101/12 , H01L 21/304 , C09D 201/00 , C09D 125/04 , C09D 125/10 , C09D 153/02 , C09D 7/12 , H01L 21/683

FI (11件)：

H01L21/02 C , B32B27/00 C , C08L101/12 , H01L21/304 631 , H01L21/304 622J , C09D201/00 , C09D125/04 , C09D125/10 , C09D153/02 , C09D7/12 , H01L21/68 N

Fターム (50件)：

4F100AB11C , 4F100AK01A , 4F100AK12A , 4F100AK17D , 4F100AK52D , 4F100AK73A , 4F100AL02A , 4F100AL05A , 4F100AR00D , 4F100AS00C , 4F100AT00B , 4F100BA04 , 4F100BA10B , 4F100BA10C , 4F100CA06A , 4F100GB41 , 4F100JA06A , 4F100JK06 , 4F100JL14D , 4J002AA001 , 4J002BP011 , 4J002EJ066 , 4J002EV057 , 4J002FD076 , 4J002FD077 , 4J002GQ00 , 4J038CA041 , 4J038CC021 , 4J038CC041 , 5F057AA12 , 5F057BA26 , 5F057BB03 , 5F057CA14 , 5F057DA11 , 5F057EC10 , 5F057EC13 , 5F057EC14 , 5F057FA22 , 5F131AA02 , 5F131BA13 , 5F131BA53 , 5F131CA08 , 5F131CA23 , 5F131DA14 , 5F131DA33 , 5F131DA42 , 5F131EC43 , 5F131EC54 , 5F131EC62 , 5F131EC72

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体ウエーハの加工方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-234053 出願人：株式会社テオス
粘着テープ
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-207826 出願人：日東電工株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-092179 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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