特許
J-GLOBAL ID：201503007202068179
光吸収構造体が備えられた太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
正林 真之
, 林 一好
, 芝 哲央
, 岩池 満
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-531854
公開番号（公開出願番号）：特表2015-529982
出願日： 2013年09月12日
公開日（公表日）： 2015年10月08日
要約：
本発明は、太陽電池に関し、より詳細に、第1電極と、第1電極上に位置し、光吸収体が取り込まれた複合層と、前記複合層の上部に位置し、光吸収体からなる光吸収構造体と、前記光吸収構造体の上部に位置する正孔伝導層と、前記正孔伝導層の上部に位置する第2電極と、を含む太陽電池に関する。【選択図】図16
請求項（抜粋）：
第1電極と、
第1電極上に位置し、光吸収体が取り込まれた複合層と、
前記複合層の上部に位置し、光吸収体からなる光吸収構造体と、
前記光吸収構造体の上部に位置する正孔伝導層と、
前記正孔伝導層の上部に位置する第2電極と、を含む太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
引用文献：
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