特許
J-GLOBAL ID：201503007657277670

六方晶チタン酸バリウム系誘電体材料製造方法

発明者：
秋重 幸邦

秋重 幸邦 について

, 
塚田 真也

塚田 真也 について

, 
別木 政彦

別木 政彦 について


出願人/特許権者：
国立大学法人島根大学

国立大学法人島根大学 について


代理人 (1件)： 田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-200787
公開番号（公開出願番号）：特開2015-067462
出願日： 2013年09月27日
公開日（公表日）： 2015年04月13日
要約：
【課題】焼成温度の一層の低減化を実現する、六方晶チタン酸バリウム系誘電体材料の製造方法を提供すること。【解決手段】 BaアルコキシドとTiアルコキシドとKFとが混合されたゾル溶液から、ゾルゲル法によって前駆体ゲルを作製し、600°C以上で焼成することにより、Ba1-xKxTiO3-xFx(ただし、1>x≧0.4)の組成を有する六方晶型のチタン酸バリウム系誘電体材料を得ることを特徴とする誘電体材料製造方法。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
BaアルコキシドとTiアルコキシドとKFとが混合されたゾル溶液から、ゾルゲル法によって前駆体ゲルを作製し、600°C以上で焼成することにより、 Ba1-xKxTiO3-xFx(ただし、1>x≧0.4) の組成を有する六方晶型のチタン酸バリウム系誘電体材料を得ることを特徴とする誘電体材料製造方法。
IPC (2件)：
C04B 35/468 ,  H01G 4/12
FI (2件)：
C04B35/46 D ,  H01G4/12 427
Fターム (13件)：
4G031AA01 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA40 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA07 ,  4G031GA11 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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