半導体素子の製造方法、半導体素子および透明導電膜

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 蛯谷厚志 , 小林良博 , 田崎豪治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-055402
公開番号（公開出願番号）：特開2015-179695
出願日： 2014年03月18日
公開日（公表日）： 2015年10月08日
要約：

【課題】基板上に形成した、複数のグラフェン層をその特性を実質に損なわないで、基板表面から直接または間接的に引き剥がすことにより、支持基板の不要な自立型薄膜太陽電池等の電子素子を作製することで、高効率な多接合薄膜太陽電池等の電子素子の設計の自由度を向上させるものである。【解決手段】基板上に複数のグラフェン層を形成すること、該グラフェン層上に半導体膜を含む半導体素子を形成すること、ついでグラフェン層を基板から直接または間接的に引き剥がして、引き剥がされたグラフェン層を透明導電膜とすることにより、半導体膜を含む半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に複数のグラフェン層を形成すること、該グラフェン層上に半導体膜を含む半導体素子を形成すること、ついでグラフェン層を基板から直接または間接的に引き剥がして、引き剥がされたグラフェン層を透明導電膜とすることにより、半導体膜を含む半導体素子を製造することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 31/022 , C01B 31/02 , H01L 31/18 , H01L 33/42 , H01B 1/04 , H01B 5/02

FI (6件)：

H01L31/04 266 , C01B31/02 101F , H01L31/04 460 , H01L33/00 222 , H01B1/04 , H01B5/02 Z

Fターム (48件)：

4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC19B , 4G146AD17 , 4G146AD22 , 4G146AD24 , 4G146AD28 , 4G146AD30 , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC16 , 4G146BC41 , 4G146BC42 , 4G146BC45 , 4G146CB01 , 4G146CB05 , 4G146CB16 , 4G146CB32 , 4G146CB35 , 4G146CB40 , 5F141CA04 , 5F141CA82 , 5F141CA88 , 5F141CA98 , 5F151AA05 , 5F151BA11 , 5F151CA02 , 5F151CA03 , 5F151CA04 , 5F151CA15 , 5F151CB30 , 5F151DA04 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5F151GA03 , 5F241CA04 , 5F241CA82 , 5F241CA88 , 5F241CA98 , 5G301BA02 , 5G307CA01 , 5G307CA07 , 5G307CB02 , 5G307CC04

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