特許

J-GLOBAL ID：201503008162377820

ソルボサーマル法を用いるCu,Zn,Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体ナノ粒子の製造方法

発明者： 神谷 純生 ,  木下 圭介 ,  柳澤 和道 ,  タオ ハイジュン
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社 ,  国立大学法人高知大学
代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  藤田 節 ,  島村 直己
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-114566
公開番号（公開出願番号）：特開2013-014498
特許番号：特許第5788832号
出願日： 2012年05月18日
公開日（公表日）： 2013年01月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 CuとZnとSnとSとを有機溶媒中で200〜450°Cの範囲の温度で1〜24時間ソルボサーマル反応させるソルボサーマル工程を含み、Cu, Zn及びSnが以下:(i)Cu, Zn及びSnがいずれも金属の形態である;(ii)Cu, Zn及びSnの少なくとも1種が金属の形態であり、且つその他が有機酸の共役塩基との塩の形態である;又は(iii)Cu, Zn及びSnがいずれも有機酸の共役塩基との塩の形態である;を満足し、且つSが硫黄粉末の形態である、Cu, Zn, Sn及びSを含有する硫化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (2件)：

C01G 19/00 ( 200 6.01) ,  H01L 31/06 ( 201 2.01)

FI (2件)：

C01G 19/00 A ,  H01L 31/06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 金属硫化物の製造方法、及び金属硫化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-008981   出願人：国立大学法人宇都宮大学

審査官引用 (1件)

• 金属硫化物の製造方法、及び金属硫化物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-008981   出願人：国立大学法人宇都宮大学

引用文献：

出願人引用 (4件)

• Sphere-like kesterite Cu2ZnSnS4 nanoparticles synthesized by a facile solvothermal method
• A mild solvothermal route to kesterite quaternary Cu2ZnSnS4 nanoparticles
• Synthesis of Cu2ZnSnS4 Nanocrystals for Use in Low-Cost Photovoltaics
• GROWTH OF COPPER ZINC TIN SULFIDE NANO-RODS BY ELECTRODEPOSITION USING ANODIZED ALUMINUM AS THE GROW

審査官引用 (5件)

• Sphere-like kesterite Cu2ZnSnS4 nanoparticles synthesized by a facile solvothermal method
• A mild solvothermal route to kesterite quaternary Cu2ZnSnS4 nanoparticles
• Synthesis of Cu2ZnSnS4 Nanocrystals for Use in Low-Cost Photovoltaics
• GROWTH OF COPPER ZINC TIN SULFIDE NANO-RODS BY ELECTRODEPOSITION USING ANODIZED ALUMINUM AS THE GROW
• A mild solvothermal route to kesterite quaternary Cu2ZnSnS4 nanoparticles