特許
J-GLOBAL ID:201503008402123021
Cu配線構造の形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-172492
公開番号(公開出願番号):特開2015-041708
出願日: 2013年08月22日
公開日(公表日): 2015年03月02日
要約:
【課題】配線構造全体の誘電率上昇を抑制でき、Cu配線に対する酸素バリア性を高くすることができ、キャップ膜のCu膜に対する選択性を高くすることができ、かつ、Cu配線のエレクトロマイグレーション耐性を高くすることができるCu配線構造の形成方法を提供する。【解決手段】層間絶縁膜202に形成されたトレンチ203内に少なくともバリア膜204を形成した後、Cu-Al合金からなるCu合金膜206を埋め込み、その上に、積み増し層207を形成し、CMPにより全面を研磨してトレンチ203内にCu配線208を形成し、Cu配線208の上にRu膜からなるキャップ層209を形成し、その際の熱により、Cu配線208のキャップ層209との界面近傍にRu-Al合金を含む界面層210を形成し、その上に層間絶縁膜211を形成する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上の第1の絶縁膜に形成された所定パターンの凹部にCu配線を形成し、その後前記Cu配線上に、キャップ層を介して上層の絶縁膜を形成するCu配線構造の形成方法であって、
少なくとも前記凹部の表面にCu拡散のバリアとなるバリア膜を形成する工程と、
前記凹部内に、Cuを主体とし、少なくとも一部にCu-Al合金部分を有するAl含有Cu膜を埋め込む工程と、
前記Al含有Cu膜からCu配線を形成する工程と、
前記Cu配線の上にRu膜からなるキャップ層を形成する工程と、
前記キャップ層を形成する際の熱またはその後の加熱処理により、前記Cu配線の前記キャップ層との界面近傍に、Ru-Al合金を含む界面層を形成する工程と、
前記キャップ層の上に第2の絶縁膜を形成する工程と
を有することを特徴とするCu配線構造の形成方法。
IPC (7件):
H01L 21/320
, H01L 21/768
, H01L 23/532
, H01L 21/285
, H01L 21/28
, C23C 14/06
, C23C 16/16
FI (5件):
H01L21/88 M
, H01L21/285 C
, H01L21/28 301R
, C23C14/06 N
, C23C16/16
Fターム (70件):
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029AA29
, 4K029BA08
, 4K029BA23
, 4K029BB02
, 4K029BC03
, 4K029BD02
, 4K029CA05
, 4K029DC03
, 4K029DC04
, 4K029DC27
, 4K029FA07
, 4K029GA03
, 4K030AA12
, 4K030BA01
, 4K030BA02
, 4K030BB12
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA10
, 4K030HA02
, 4K030KA41
, 4K030LA15
, 4M104BB04
, 4M104DD33
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104DD47
, 4M104DD83
, 4M104FF22
, 4M104HH01
, 4M104HH05
, 4M104HH08
, 5F033GG01
, 5F033GG04
, 5F033HH07
, 5F033HH11
, 5F033HH12
, 5F033HH18
, 5F033HH19
, 5F033HH21
, 5F033HH32
, 5F033HH33
, 5F033HH34
, 5F033MM01
, 5F033MM08
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033PP02
, 5F033PP06
, 5F033PP07
, 5F033PP14
, 5F033PP15
, 5F033PP17
, 5F033PP20
, 5F033PP27
, 5F033PP33
, 5F033QQ09
, 5F033QQ48
, 5F033QQ69
, 5F033QQ73
, 5F033QQ98
, 5F033RR01
, 5F033RR04
, 5F033XX05
, 5F033XX12
, 5F033XX18
, 5F033XX24
, 5F033XX28
引用特許:
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