ルテニウムの選択堆積を半導体デバイスの作製に統合する方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-524601
公開番号（公開出願番号）：特表2010-539698
出願日： 2008年09月09日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：

Ruの選択堆積を半導体デバイスの作製に統合することで、Cuメタライゼーションにおけるエレクトロマイグレーションとストレスマイグレーションを改善する方法。当該方法は、熱化学気相成長法によって、Ru3(CO)12先駆体蒸気及びCOガスを有するプロセスガスを用いて、メタライゼーション層(302)上及びバルクCu(322)上にRu金属膜を選択的に堆積する工程を有する。1つ以上の選択的に堆積されたRu金属膜を有する半導体デバイスが記載されている。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスの作製方法であって: 堆積システムの処理チャンバ内にパターニングされた基板を供する工程であって、前記パターニングされた基板は誘電層内に凹部を有する部位及び該凹部を有する部位の底部に位置するメタライゼーション層を有する、工程; Ru3(CO)12先駆体蒸気及びCOガスを有するプロセスガスを生成する工程; 熱化学気相成長法によって、前記パターニングされた基板を前記プロセスガスに曝露して、前記メタライゼーション層上に第1Ru金属膜を選択的に堆積する工程; 前記第1Ru金属膜上を含む前記凹部を有する部位内にバリア層を堆積する工程;並びに、前記凹部を有する部位をバルクCuで充填する工程; を有する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/285 , C23C 16/16 , C23C 16/04

FI (5件)：

H01L21/90 A , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , C23C16/16 , C23C16/04

Fターム (60件)：

4K030AA12 , 4K030AA14 , 4K030BA01 , 4K030BB12 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030KA02 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104BB36 , 4M104DD22 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104DD47 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH01 , 4M104HH02 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH34 , 5F033HH36 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ34 , 5F033JJ36 , 5F033KK11 , 5F033KK19 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP03 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP08 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR11 , 5F033WW03 , 5F033XX05 , 5F033XX06

引用特許：

審査官引用 (5件)

集積回路内での金属層の選択的形成
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-309116 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-308529 出願人：東京エレクトロン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-228260 出願人：株式会社東芝

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