特許
J-GLOBAL ID：201203063166505758

半導体装置及びその製造方法

発明者：
押田 大介

押田 大介 について

, 
久米 一平

久米 一平 について

, 
植木 誠

植木 誠 について

, 
井口 学

井口 学 について

, 
井上 尚也

井上 尚也 について

, 
丸山 卓也

丸山 卓也 について

, 
泰地 稔二

泰地 稔二 について

, 
勝山 洋一

勝山 洋一 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (3件)： 速水 進治 ,  野本 可奈 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-160825
公開番号（公開出願番号）：特開2012-023245
出願日： 2010年07月15日
公開日（公表日）： 2012年02月02日
要約：
【課題】配線間の実効的な容量の増加を抑制する。【解決手段】半導体装置100は、6員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜11と、絶縁膜11に形成された配線溝12と、配線溝12に金属膜(配線メタル)15が埋め込まれて構成される配線10と、を有する。半導体装置100では、配線溝12の底面において、絶縁膜11の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は/及び、窒素原子数が多い改質層13が形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
6員環構造の環状シロキサンを原料とする絶縁膜と、 前記絶縁膜に形成された配線溝と、 前記配線溝に金属膜が埋め込まれて構成される配線と、 を有し、 前記配線溝の底面において、前記絶縁膜の内部よりも単位体積あたりの炭素原子数、又は/及び、窒素原子数が多い改質層が形成されている、半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/316
FI (5件)：
H01L21/90 S ,  H01L21/90 B ,  H01L21/316 X ,  H01L21/316 P ,  H01L21/316 M
Fターム (68件)：
5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ16 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033LL02 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN17 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ54 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR20 ,  5F033RR23 ,  5F033RR29 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX07 ,  5F033XX24 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16 ,  5F058BJ02
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM