特許

J-GLOBAL ID：201503009110822430

銅化合物、薄膜形成用原料及び薄膜の製造方法

発明者： 吉野 智晴 ,  遠津 正揮 ,  桜井 淳 ,  西田 章浩 ,  岡部 誠
出願人/特許権者： 株式会社ADEKA
代理人 (4件)： 曾我 道治 ,  梶並 順 ,  大宅 一宏 ,  飯野 智史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-100611
公開番号（公開出願番号）：特開2015-218117
出願日： 2014年05月14日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

【課題】本発明は、融点が低く液体の状態で輸送ができ、しかも蒸気圧が大きく気化させ易い銅化合物及びそれを用いた薄膜形成用原料を提供することを課題とする。【解決手段】本発明の銅化合物は、下記一般式(I)で表される。 【化1】一般式(I)中、R1〜R3は、各々独立に炭素数1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し;ただし、R1及びR2がメチル基である場合、R3は炭素数2〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基を表し;R1がメチル基であり、R2がエチル基である場合、R3はメチル基又は炭素数3〜5の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基を表す。また、本発明の薄膜形成用原料は、上記一般式(I)で表される銅化合物を含有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(I):

IPC (4件)：

C07F 1/08 ,  C23C 16/18 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285

FI (4件)：

C07F1/08 B ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/285 C

Fターム (24件)：

4H048AA01 ,  4H048AA03 ,  4H048AB78 ,  4H048VA20 ,  4H048VA30 ,  4H048VA56 ,  4H048VB10 ,  4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104DD43 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第6822107号
  
• 揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体及びそれを用いたニッケル薄膜の蒸着法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-505217   出願人：コリアリサーチインスティチュートオブケミカルテクノロジイ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• A study on the metal-organic CVD of pure copper films from low cost copper(II) dialkylamino-2-propox