特許

J-GLOBAL ID：201503009669536098

微結晶金属導体及びその製造方法

発明者： 因 浩之 ,  案納 芙美代 ,  松永 大輔 ,  北原 弘基 ,  安藤 新二 ,  津志田 雅之 ,  小川 俊文
出願人/特許権者： 大電株式会社 ,  福岡県 ,  国立大学法人 熊本大学
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2013058737
公開番号（公開出願番号）：WO2013-146762
出願日： 2013年03月26日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

結晶粒の長手方向に沿ったサイズと長手方向に直交する方向に沿ったサイズとの差を小さくして、結晶組織の等方的な微細化を促進して耐屈曲性能の向上を図った微結晶金属導体10及びその製造方法であって、累積相当ひずみが4以上となる強加工が施された素材に、形状付与加工を行って得られる微結晶金属導体は、長手方向の平均粒径Bが10μm以下で、長手方向に直交する方向の平均粒径Aが2μm以下である結晶粒12から構成される結晶組織を有する。

請求項（抜粋）：

累積相当ひずみが4以上となる強加工が施された素材に、形状付与加工を行って得られる微結晶金属導体であって、 長手方向の平均粒径が10μm以下で、該長手方向に直交する方向の平均粒径が2μm以下である結晶粒から構成される結晶組織を有することを特徴とする微結晶金属導体。

IPC (5件)：

C22C 21/00 ,  H01B 5/02 ,  H01B 13/00 ,  B21C 1/00 ,  B21C 26/00

FI (5件)：

C22C21/00 A ,  H01B5/02 Z ,  H01B13/00 501Z ,  B21C1/00 N ,  B21C26/00 Z

Fターム (6件)：

4E096EA04 ,  4E096EA05 ,  4E096EA13 ,  4E096KA02 ,  4E096KA09 ,  5G307CA07