特許
J-GLOBAL ID：201503011068577107
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-043089
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178865
特許番号：特許第5766137号
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に形成されたソース領域、ドレイン領域、電荷蓄積部、およびゲート電極を有する複数の不揮発性メモリセルと、
ワード線の電圧を制御する第1の選択回路と、
前記ソース領域および前記ドレイン領域の電圧を制御する第2の選択回路と、
第1の電源電圧および第2の電源電圧に基づき、前記第1の選択回路または前記第2の選択回路へ供給する電源電圧を生成する電源回路と、
前記第1の電源電圧の値と所定電圧値との比較結果に基づきモニタ信号を出力する電圧監視回路と、を備え、
前記第2の選択回路は、前記モニタ信号に応答して、前記電荷蓄積部への電子の注入を、前記半導体基板の電子のトンネル電流から前記ソース領域および前記ドレイン領域間に生成されるホットエレクトロンに切替える、半導体装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ( 200 6.01)
, G06F 12/16 ( 200 6.01)
G11C 17/00 611 G
, G11C 17/00 601 E
, G06F 12/16 340 M
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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