特許
J-GLOBAL ID：201503011589739910
発光装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
日向寺 雅彦
, 小崎 純一
, 市川 浩
, 白井 達哲
, 日比野 幸信
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-523926
特許番号：特許第5740532号
出願日： 2012年06月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上にアンドープ窒化ガリウム層を形成し、
前記アンドープ窒化ガリウム層上に、周期構造を有し、その各周期に第1窒化アルミニウムガリウム層及び第1窒化ガリウム層を含む超格子構造を直接形成し、
前記超格子構造上を覆うn形層を、前記超格子構造上に直接形成し、
前記n形層上に、一定量のインジウムを含む活性層を形成し、
前記活性層の上にp形層を形成し、
前記シリコン基板、前記超格子構造、前記n形層、前記活性層、及び前記p形層を含む第1構造に導電基板をボンディングし、
前記第1構造に導電基板をボンディングした第2構造から前記シリコン基板を除去し、
前記超格子構造の表面を粗面化し、
前記第2構造から前記シリコン基板を除去した第3構造上に電極を形成し、
前記電極を形成した前記第3構造を個片化する発光装置の製造方法であって、
前記n形層は、周期構造を有し、その1つの周期に、第2窒化ガリウム層及び第2窒化アルミニウムガリウム層を含み、
前記第2窒化ガリウム層は、前記第1窒化ガリウム層よりも厚く、
前記第2窒化アルミニウムガリウム層は、前記第1窒化アルミニウムガリウム層よりも薄く形成され、
前記第1窒化アルミニウムガリウム層は、1×1018atoms/cm3未満のシリコン濃度を有し、
前記第2窒化アルミニウムガリウム層は、1×1018atoms/cm3超のシリコン濃度を有し、
前記超格子構造の前記n形層との界面におけるシート抵抗は、前記界面における前記n形層のシート抵抗よりも小さい発光装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/12 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
, H01L 33/48 ( 201 0.01)
H01L 33/00 140
, H01L 33/00 186
, H01L 33/00 400
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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