特許
J-GLOBAL ID：201003075305112778

窒化物半導体エピタキシャル基板

発明者：
大石 浩司

大石 浩司 について

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小宮山 純

小宮山 純 について

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江里口 健一

江里口 健一 について

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阿部 芳久

阿部 芳久 について

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吉田 晃

吉田 晃 について

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鈴木 俊一

鈴木 俊一 について


出願人/特許権者：
コバレントマテリアル株式会社

コバレントマテリアル株式会社 について


代理人 (2件)： 木下 茂 ,  石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-071381
公開番号（公開出願番号）：特開2010-251738
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】デバイス活性層でのクラック発生が抑制され、かつ、転位密度の低減等の結晶性の向上を図りつつ、窒化物半導体の厚膜化に伴う反りも抑制された、製造効率に優れたバッファ構造を備えた窒化物半導体エピタキシャル基板を提供する。【解決手段】Si基板1と、厚さ2〜10nmのAlaGa1-aN(0.9≦a≦1.0)単結晶層31および厚さ10〜30nmのAlbGa1-bN(0≦b≦0.1)単結晶層32が交互に繰り返し積層された第1の多層バッファ領域3と、厚さ2〜10nmのAlcGa1-cN(0.9≦c≦1.0)単結晶層41および厚さ200〜500nmのAldGa1-dN(0≦d≦0.1)単結晶層42が交互に繰り返し積層された第2の多層バッファ領域4と、GaN単結晶層5と、AlxGa1-xN(0<x<1)単結晶層6とを備えた構成の窒化物半導体エピタキシャル基板を作製する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Si基板と、前記Si基板上に、厚さ2nm以上10nm以下のAlaGa1-aN(0.9≦a≦1.0)単結晶層および厚さ10nm以上30nm以下のAlbGa1-bN(0≦b≦0.1)単結晶層が交互に繰り返し積層された第1の多層バッファ領域と、前記第1の多層バッファ領域上に、厚さ2nm以上10nm以下のAlcGa1-cN(0.9≦c≦1.0)単結晶層および厚さ200nm以上500nm以下のAldGa1-dN(0≦d≦0.1)単結晶層が交互に繰り返し積層された第2の多層バッファ領域と、前記第2の多層バッファ領域上に形成されたGaN単結晶層と、前記GaN単結晶層上に形成されたAlxGa1-xN(0<x<1)単結晶層とを備えていることを特徴とする窒化物半導体エピタキシャル基板。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C30B 29/38 ,  H01S 5/323
FI (5件)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C30B29/38 D ,  H01S5/323
Fターム (49件)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F173AG14 ,  5F173AH22 ,  5F173AH48 ,  5F173AP05 ,  5F173AR82 ,  5F173AR99
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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