特許
J-GLOBAL ID：201503011991901332
エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、エピタキシャルシリコンウェーハ、および固体撮像素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
杉村 憲司
, 川原 敬祐
, 福井 敏夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-099845
公開番号（公開出願番号）：特開2015-216327
出願日： 2014年05月13日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：
【課題】本発明は、高いゲッタリング能力を有し、かつ、エピタキシャル欠陥の発生を抑制したエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】本発明のエピタキシャルシリコンウェーハ100の製造方法は、シリコンウェーハ10に非酸化性雰囲気で熱処理を行って、シリコンウェーハ10の表層部に無欠陥層11を形成する無欠陥層形成工程と、シリコンウェーハ10の無欠陥層11側の表面10Aにクラスターイオン16を照射するクラスターイオン照射工程と、前記照射工程を経たシリコンウェーハ10の表面10Aに、エピタキシャル層20を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハに非酸化性雰囲気で熱処理を行って、前記シリコンウェーハの表層部に無欠陥層を形成する無欠陥層形成工程と、
前記シリコンウェーハの前記無欠陥層側の表面にクラスターイオンを照射するクラスターイオン照射工程と、
前記照射工程を経たシリコンウェーハの前記照射側の表面に、エピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
を有することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
, H01L 21/265
, H01L 21/20
, H01L 27/146
H01L21/322 J
, H01L21/324 X
, H01L21/322 Y
, H01L21/322 R
, H01L21/265 F
, H01L21/20
, H01L27/14 A
4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA06
, 4M118EA01
, 4M118GA02
, 5F152LL03
, 5F152MM12
, 5F152MM18
, 5F152NN03
, 5F152NQ03
