特許
J-GLOBAL ID：201503012197459516

X線分析方法及びX線分析装置

発明者：
野村 健二

野村 健二 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-019699
公開番号（公開出願番号）：特開2015-148443
出願日： 2014年02月04日
公開日（公表日）： 2015年08月20日
要約：
【課題】化合物半導体デバイス等の結晶性の試料について、妨害回折線の影響のない正規のX線エネルギー依存性のスペクトルを容易且つ確実に、人手によらず自動的に得ることが可能であり、局所構造について信頼性の高い高精度の情報を得る。【解決手段】電子収量XAFS法を用いたX線分析方法であって、試料にX線を照射し、試料から飛び出した電子、又は電子が周辺ガスをイオン化することにより流れる電流のX線エネルギー依存性を取得するに際し、照射するX線に対する試料の方位を変化させて、X線エネルギー依存性を取得する(具体的には、相異なる少なくとも3つの結晶方位でX線エネルギー依存性のスペクトルを取得し、取得した3種のスペクトルのうち2種のスペクトルで同一となるスペクトルを正規のものと判定する、或いは、試料を回転揺動させながらX線エネルギー依存性を取得する。)。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
電子収量XAFS法を用いたX線分析方法であって、 試料にX線を照射し、前記試料から飛び出した電子、又は前記電子が周辺ガスをイオン化することにより流れる電流のX線エネルギー依存性を取得するに際し、照射するX線に対する前記試料の方位を変化させて、前記X線エネルギー依存性を取得することを特徴とするX線分析方法。
IPC (2件)：
G01N 23/227 ,  G01N 23/06
FI (2件)：
G01N23/227 ,  G01N23/06
Fターム (12件)：
2G001AA01 ,  2G001BA09 ,  2G001CA03 ,  2G001EA01 ,  2G001FA06 ,  2G001GA09 ,  2G001GA13 ,  2G001HA02 ,  2G001KA12 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA12
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 微小部X線分析装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-216971   出願人：理学電機株式会社
  • X線分析装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-285095   出願人：川崎重工業株式会社
  • 特開昭55-243669
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