特許

J-GLOBAL ID：201503012239804910

機能性素子、二酸化バナジウム薄膜製造方法

発明者： 広瀬 光隆 ,  小林 宏樹 ,  逸見 充則 ,  塚越 和也 ,  露木 達郎 ,  木村 勲 ,  鄒 弘綱
出願人/特許権者： 株式会社アルバック
代理人 (2件)： 石島 茂男 ,  阿部 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-098230
公開番号（公開出願番号）：特開2015-216241
出願日： 2014年05月12日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：

【課題】低コストで量産性の高い薄膜形成装置を提供する。 【解決手段】本発明の機能性素子27には、素子基板20上に形成された二酸化チタン薄膜から成るバッファ薄膜13の表面に、二酸化バナジウムから成る機能性薄膜16が形成されており、機能性薄膜16の結晶性が高いため、相転移前後の抵抗値が大きく異なる。従って、記憶素子やサーミスタ等の本発明の機能性素子27は、電気的特性に優れている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

素子基板と、 前記素子基板上に形成された二酸化チタン薄膜から成るバッファ薄膜と、 前記バッファ薄膜の表面に形成された二酸化バナジウム薄膜から成る機能性薄膜と、 を有し、前記機能性薄膜が、金属相と絶縁相との間で相転移される機能性素子。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  C23C 14/08 ,  C01G 31/02 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L27/10 448 ,  C23C14/08 G ,  C01G31/02 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C

Fターム (34件)：

4G048AA02 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA17 ,  4K029BA43 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR12 ,  5F083PR22 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD17 ,  5F110GG01 ,  5F110GG17 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43

引用特許：

審査官引用 (3件)

• サーモクロミックコーティング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-552054   出願人：マイヤーブルーノカー.
• 急激な金属-絶縁体転移半導体物質を利用した2端子半導体素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-381971   出願人：韓國電子通信研究院
• 高断熱自動調光ガラス及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-022328   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所