特許

J-GLOBAL ID：201503012703669001

ボロン層を有する裏面照光センサ

発明者： チャーン ジェン-フア ,  イーサニ アリ アール ,  デルガド ギルダルド ,  ブラウン デービッド エル ,  チュワーン ユン-ホ アレックス ,  フィールデン ジョン
出願人/特許権者： ケーエルエー-テンカー コーポレイション
代理人 (1件)： 特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-505838
公開番号（公開出願番号）：特表2015-520939
出願日： 2013年04月08日
公開日（公表日）： 2015年07月23日
要約：

短波長光及び荷電粒子の画像センサは、半導体膜と、半導体膜の一表面上に形成された回路素子と、半導体膜の他の表面上の純粋ボロン層とを有する。この画像センサは、高フラックスでの複数年の連続使用を行っても、高効率及び良好な安定度を有する。画像センサは、CCD(電荷結合素子)又はCMOS(相補型金属酸化物半導体)技術を用いて製造し得る。画像センサは、二次元のエリアセンサ又は一次元のアレイセンサであり得る。画像センサは、電子衝撃型画像センサ内及び/又は検査システム内に含まれ得る。

請求項（抜粋）：

深紫外線(DUV)放射、真空紫外線(VUV)放射、超紫外線(EUV)放射及び荷電粒子の少なくとも1つを感知する画像センサであって、前記画像センサは、 半導体膜を備え、前記半導体膜は、前記半導体膜の第1の表面上に形成された回路素子と、前記半導体膜の第2の表面上に形成された純粋ボロン層とを有する、画像センサ。

IPC (5件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01J 29/38 ,  G03F 1/84 ,  H04N 5/369

FI (5件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/14 D ,  H01J29/38 ,  G03F1/84 ,  H04N5/335 690

Fターム (30件)：

2H095BD04 ,  2H095BD05 ,  2H095BD17 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA34 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118GA10 ,  4M118HA02 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  5C024AX00 ,  5C024CY47 ,  5C024EX03 ,  5C024EX42 ,  5C024GX02 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ41 ,  5C037GG02 ,  5C037GG10 ,  5C037GH05 ,  5C037GH18 ,  5F088BB03 ,  5F088LA05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特許第6278119号
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-216199   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 放射線検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-004116   出願人：エフイーアイカンパニ
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-044175   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-095568   出願人：富士フイルム株式会社
• 特許第6278119号