特許
J-GLOBAL ID：201103066067366390
放射線検出器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-004116
公開番号（公開出願番号）：特開2011-145292
出願日： 2011年01月12日
公開日（公表日）： 2011年07月28日
要約：
【課題】低エネルギー(例えば200eV)電子を検出する放射線検出器の製造方法を提供する。【解決手段】走査型電子顕微鏡等に適した検出器は、p+-拡散層に接続された純ホウ素の薄い層をもつPINフォトダイオードで、そのホウ素層は、アルミニウム・グリッドをもつ電極に接続され、そのホウ素層と電極との間の各々の位置において低い電気抵抗の経路を形成する。そのホウ素層に損傷を与えず、ホウ素層上にアルミニウム・グリッドを形成するため、ホウ素層をアルミニウム層で完全に覆い、そのアルミニウム層の一部分をドライ・エッチングによって除去するが、ホウ素層の露出される部分に薄いアルミニウム層を残す。その後、ホウ素層の露出される部分から完全にアルミニウムを除去する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
放射線感受性表面を有する放射線検出器を製造する方法であり:
・nドープ平面及び該nドープ平面に形成された真性層を有する平面状基板を供給するステップ;
・該真性層の上に、ホウ素を含む層を重ねることによって、p+型拡散層及びホウ素を含む最上層を形成するステップ;
・導電性材料のグリッドを形成するステップであり、該グリッドの少なくとも一部分は、前記最上層において形成され、該グリッドは該最上層を露出したままに残す一方、該最上層に電気接続され、第1電極を形成する、ステップ;及び
・前記nドープ平面に接続された第2電極を形成するステップ;
を含み、
前記導電性材料のグリッドは、
・前記最上層を導電性材料の層で完全に覆い、次に、該導電性材料の層の一部分をエッチングによって除去し、該エッチングは、ドライ・エッチングの第1ステップを含み、該ドライ・エッチングのステップは、前記グリッドを定義するが、前記最上層の露出される部分に導電性材料の薄い層を残し、次にウェット・エッチングの第2ステップが続き、該ウェット・エッチングのステップは、前記最上層の露出される部分から前記導電性の層を完全に除去する、ステップ;
によって形成されることを特徴とする、方法。
IPC (3件)：
G01T 1/24
, H01L 27/14
, H01L 31/09
G01T1/24
, H01L27/14 K
, H01L31/00 A
2G088FF05
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ10
, 2G088JJ37
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA03
, 4M118CA05
, 4M118GA10
, 4M118HA30
, 4M118HA33
, 5F088AA03
, 5F088AB03
, 5F088BA20
, 5F088BB03
, 5F088CB09
, 5F088CB14
, 5F088FA05
, 5F088GA04
, 5F088LA07
