特許

J-GLOBAL ID：201503013333641966

ウエーハの洗浄方法

発明者： 五十嵐 健作 ,  阿部 達夫
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-101558
公開番号（公開出願番号）：特開2015-220284
出願日： 2014年05月15日
公開日（公表日）： 2015年12月07日
要約：

【課題】洗浄後のウエーハの表面粗さの悪化を抑制し、また洗浄後のウエーハ外周部におけるパーティクルの残留を改善するウエーハの洗浄方法を提供する。【解決手段】オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、(1)オゾン水を用いた洗浄工程、(2)純水を用いたスピン洗浄工程、(3)フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは(1)フッ酸を用いた洗浄工程、(2)純水を用いたスピン洗浄工程、(3)オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が1.2L/min以上であり、ウエーハの回転数が1,000rpm以上であることを特徴とするウエーハの洗浄方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

オゾン水を用いた洗浄工程と、フッ酸を用いた洗浄工程を含むウエーハの洗浄方法において、 前記オゾン水を用いた洗浄工程と前記フッ酸を用いた洗浄工程の間に純水を用いたスピン洗浄工程を有することで、(1)オゾン水を用いた洗浄工程、(2)純水を用いたスピン洗浄工程、(3)フッ酸を用いた洗浄工程の順、あるいは(1)フッ酸を用いた洗浄工程、(2)純水を用いたスピン洗浄工程、(3)オゾン水を用いた洗浄工程の順で洗浄を行う方法であって、 前記純水を用いたスピン洗浄工程における純水の流量が1.2L/min以上であり、ウエーハの回転数が1,000rpm以上であることを特徴とするウエーハの洗浄方法。

IPC (1件)：

H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 643A ,  H01L21/304 648G

Fターム (22件)：

5F157AA73 ,  5F157AB02 ,  5F157AB12 ,  5F157AB33 ,  5F157AB90 ,  5F157AC01 ,  5F157AC26 ,  5F157BB14 ,  5F157BB22 ,  5F157BB23 ,  5F157BD33 ,  5F157BE12 ,  5F157BE46 ,  5F157CB03 ,  5F157CB11 ,  5F157CB32 ,  5F157CE10 ,  5F157CE33 ,  5F157DA21 ,  5F157DB03 ,  5F157DB16 ,  5F157DB18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135029   出願人：株式会社東芝
• 基板処理装置および基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-060514   出願人：大日本スクリーン製造株式会社