特許

J-GLOBAL ID：201503013965091538

シリコン単結晶の品質評価方法

発明者： 大高 典雄 ,  矢ヶ崎 善範 ,  吉田 敏雄 ,  音川 孝雄
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 張川 隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-029860
公開番号（公開出願番号）：特開2015-154065
出願日： 2014年02月19日
公開日（公表日）： 2015年08月24日
要約：

【課題】シリコン単結晶に潜在する酸化誘起積層欠陥(OSF)を顕在化させて検出することで、高精度にシリコン単結晶の品質を評価できるシリコン単結晶の品質評価方法を提供する。【解決手段】シリコン単結晶の品質を評価するためにシリコン単結晶の表面に酸素誘起積層欠陥を発生させる熱処理方法として、シリコン単結晶に350〜550°Cで30〜200分間の第1段熱処理、550〜750°Cで30〜300分間の第2段熱処理、750〜900°Cで30〜300分間の第3段熱処理、900〜1000°Cで30〜1440分間の第4段熱処理、1100〜1200°Cで30〜200分間の第5段熱処理をこの順序で実施する。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶の品質を評価するために前記シリコン単結晶の表面に酸素誘起積層欠陥を発生させる熱処理方法として、前記シリコン単結晶に350〜550°Cで30〜200分間の第1段熱処理、550〜750°Cで30〜300分間の第2段熱処理、750〜900°Cで30〜300分間の第3段熱処理、900〜1000°Cで30〜1440分間の第4段熱処理、1100〜1200°Cで30〜200分間の第5段熱処理をこの順序で実施することを特徴とするシリコン単結晶の品質評価方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/324 ,  G01N 17/00

FI (4件)：

H01L21/66 L ,  H01L21/324 X ,  H01L21/324 Z ,  G01N17/00

Fターム (9件)：

2G050AA02 ,  2G050BA04 ,  2G050BA10 ,  2G050CA01 ,  2G050EB07 ,  2G050EC06 ,  4M106AA01 ,  4M106CB19 ,  4M106DH56

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第5946001号
  
• シリコン単結晶ウエーハの評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-064356   出願人：信越半導体株式会社
• 金属汚染と熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-245845   出願人：シルトロンインク