特許
J-GLOBAL ID：200903043993987790
シリコン単結晶ウエーハの評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-064356
公開番号（公開出願番号）：特開2008-222505
出願日： 2007年03月14日
公開日（公表日）： 2008年09月25日
要約：
【課題】少なくとも、N領域のN(V)領域とN(I)領域を、簡単かつ時間をかけずに正確に判定することができるシリコン単結晶ウエーハの評価方法、およびこれを用いたシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】CZ法を用いて作製したシリコン単結晶ウエーハの品質を評価する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理した後、選択エッチングにより浅いエッチピット(シャローピット)を形成し、該形成したエッチピットから、少なくとも、無欠陥領域のN(V)領域、N(I)領域を判別するシリコン単結晶ウエーハの評価方法。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
CZ法を用いて作製したシリコン単結晶ウエーハの品質を評価する方法であって、少なくとも、前記シリコン単結晶ウエーハを酸化性雰囲気下で熱処理した後、選択エッチングにより浅いエッチピット(シャローピット)を形成し、該形成したエッチピットから、少なくとも、無欠陥領域のN(V)領域、N(I)領域を判別することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの評価方法。
IPC (4件)：
C30B 29/06
, H01L 21/66
, C30B 15/00
, H01L 21/322
C30B29/06 B
, H01L21/66 N
, C30B29/06 502H
, C30B15/00 Z
, H01L21/322 Y
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB06
, 4G077EH06
, 4G077FE03
, 4G077FE12
, 4G077FE13
, 4G077FG05
, 4G077GA02
, 4G077GA05
, 4G077HA12
, 4G077PA06
, 4M106AA01
, 4M106BA12
, 4M106CB19
