特許
J-GLOBAL ID:201203089225615936

EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  竹本 洋一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-026165
公開番号(公開出願番号):特開2012-049498
出願日: 2011年02月09日
公開日(公表日): 2012年03月08日
要約:
【課題】裏面導電膜からの真空紫外領域の反射光を抑制することができるEUVマスクブランクス用の導電膜付基板の提供。【解決手段】ガラス基板上に導電膜が形成された、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長190nm〜400nmに対して、屈折率(n)が1.47から3.00の範囲で、消衰係数(k)が0から1.0の範囲であり、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が50〜200nmであることを特徴とする導電膜付基板。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ガラス基板上に導電膜が形成された、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記ガラス基板と前記導電膜との間に中間膜を有し、前記中間膜は、波長190nm〜400nmに対して、屈折率(n)が1.47から3.00の範囲で、消衰係数(k)が0から1.0の範囲であり、前記中間膜および前記導電膜の合計膜厚が50〜200nmであることを特徴とする導電膜付基板。
IPC (3件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/60 ,  G03F 1/40
FI (3件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/14 A ,  G03F1/14 G
Fターム (10件):
2H095BA10 ,  2H095BC16 ,  2H095BC17 ,  2H095BC27 ,  5F046GA03 ,  5F046GD03 ,  5F046GD10 ,  5F146GA03 ,  5F146GD00 ,  5F146GD03
引用特許:
審査官引用 (3件)

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