特許
J-GLOBAL ID:201503017235420795
成膜装置のパーツ保護方法および成膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高山 宏志
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-067573
公開番号(公開出願番号):特開2013-201203
特許番号:特許第5797595号
出願日: 2012年03月23日
公開日(公表日): 2013年10月03日
請求項(抜粋):
【請求項1】 成膜装置のパーツを保護するパーツ保護方法であって、
前記成膜装置の処理室の内部で被処理基板に対する成膜処理を行う前、又は行った後、前記成膜装置の処理室の内部にあり、前記成膜処理中の成膜雰囲気に暴露されるパーツの表面上に粗面膜を形成し、前記パーツの表面を前記粗面膜により被覆し、
前記粗面膜は、粗面シリコン膜であり、
前記粗面シリコン膜は、前記パーツの表面上にシリコン膜を形成した後、前記シリコン膜の周囲の圧力を下げ、前記シリコン膜の表面部分のシリコンを凝集させて形成されることを特徴とする成膜装置のパーツ保護方法。
IPC (3件):
H01L 21/318 ( 200 6.01)
, H01L 21/31 ( 200 6.01)
, C23C 16/44 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 21/318 B
, H01L 21/31 C
, C23C 16/44 J
引用特許:
出願人引用 (9件)
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成膜装置部品及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-029242
出願人:東ソー株式会社
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特開昭60-120515
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-140800
出願人:株式会社日立製作所
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審査官引用 (9件)
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成膜装置部品及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2008-029242
出願人:東ソー株式会社
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特開昭60-120515
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半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-140800
出願人:株式会社日立製作所
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