特許
J-GLOBAL ID:201503017300609964

シリコン単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人深見特許事務所
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-176704
公開番号(公開出願番号):特開2014-051430
特許番号:特許第5666666号
出願日: 2013年08月28日
公開日(公表日): 2014年03月20日
請求項(抜粋):
【請求項1】 シリコン単結晶の製造方法であって、 シリコンプレートを誘導加熱するステップと、 前記シリコンプレート上の粒状シリコンを溶融させるステップと、 溶融させたシリコンを、前記プレートの中央部のフロー導管を通して、シリコン単結晶が結晶化する場所である相境界に供給するステップとを含み、 前記プレートを誘導加熱するステップの前に、前記プレートの上にあり前記プレートよりも抵抗率が低いシリコンリングを誘導加熱し、 前記リングを溶融させることを特徴とする、方法。
IPC (2件):
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 13/20 ( 200 6.01)
FI (2件):
C30B 29/06 501 A ,  C30B 13/20
引用特許:
審査官引用 (2件)

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