エピタキシャルウェハおよびその製造方法並びに窒化物半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山崎宏 , 田中光雄 , 磯江悦子 , 山崎敏行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-127671
公開番号（公開出願番号）：特開2015-002329
出願日： 2013年06月18日
公開日（公表日）： 2015年01月05日
要約：

【課題】エピタキシャルウェハの反りを低減でき、かつ、Si基板と窒化物半導体層との界面において窒化物半導体層側に生じる寄生容量を低減できるエピタキシャルウェハおよびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供すること。【解決手段】p型Si基板(1a)上にp型Si層(1b)が形成され、このp型Si層(1b)上に複数の窒化物半導体層(2,3,4,5,6,7)が積層されている。p型Si基板(1a)は、抵抗率が0.01Ω・cm以下のp+型Si単結晶基板である。p型Si層(1b)は、抵抗率が10Ω・cm以上1000Ω・cm未満のp-型Si層(1b)である。p型Si層(1b)を空乏化することによって新たに寄生容量を付加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板と、上記Si基板上または上記Si基板表面に形成されたSi層と、上記Si層上に形成された複数の窒化物半導体層とを備え、上記Si基板の抵抗率は、0.1Ω・cm以下であり、上記Si層の抵抗率は、10Ω・cm以上1000Ω・cm未満であることを特徴とするエピタキシャルウェハ。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L21/205 , H01L29/80 H

Fターム (32件)：

5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AB02 , 5F045AB09 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB11 , 5F045BB16 , 5F045CA06 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045HA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR12 , 5F102GS01 , 5F102GS04 , 5F102GT06

引用特許：

審査官引用 (8件)

窒化物半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-122640 出願人：株式会社東芝
エピタキシャル基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-047465 出願人：日本碍子株式会社
特開昭64-066932

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