エピタキシャル基板

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-047465
公開番号（公開出願番号）：特開2012-186267
出願日： 2011年03月04日
公開日（公表日）： 2012年09月27日
要約：

【課題】シリコン基板を下地基板とし、基板サイズに比して問題ない程度に反りが抑制され、半導体素子の作製に好適なエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板10が、シリコン単結晶からなる下地基板1と、下地基板1の上に形成された複数のIII族窒化物層2,3,4からなるIII族窒化物層群と、を備えており、下地基板1が、ボロンが添加されてなることでp型の導電性を有し、かつ、比抵抗が0.01Ω・cm以上0.1Ω・cm以下であり、複数のIII族窒化物層2,3,4がそれぞれ、少なくともAlまたはGaを含み、エピタキシャル基板の反り量をSR(単位:μm)、窒化物層群の総膜厚をte(単位:μm)、下地基板1の膜厚をts(単位:mm)、下地基板1の直径をds(単位:mm)とするときに、規格化反り指数KがK={(SR/te)×(ts/ds)2}≦1×10-3なる関係式をみたすようにする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶からなる下地基板と、前記下地基板の上に形成された複数のIII族窒化物層からなるIII族窒化物層群と、を備えるエピタキシャル基板であって、前記下地基板は、ボロンが添加されてなることでp型の導電性を有し、かつ、比抵抗が0.01Ω・cm以上0.1Ω・cm以下であり、前記複数のIII族窒化物層はそれぞれ、少なくともAlまたはGaを含み、前記エピタキシャル基板の反り量をSR(単位:μm)、前記窒化物層群の総膜厚をte(単位:μm)、前記下地基板の膜厚をts(単位:mm)、前記下地基板の直径をds(単位:mm)とするときに、規格化反り指数Kが K={(SR/te)×(ts/ds)2}≦1×10-3 なる関係式をみたすことを特徴とするエピタキシャル基板。

IPC (6件)：

H01L 29/26 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 29/167 , H01L 21/20

FI (4件)：

H01L29/263 , H01L29/80 H , H01L29/167 , H01L21/20

Fターム (24件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT03 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F152LL05 , 5F152LN12 , 5F152MM05 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152NN03 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NQ09

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子の形成に使用するための板状基体及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-283567 出願人：サンケン電気株式会社
シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-135730 出願人：株式会社SUMCO
半導体素子形成用板状基体の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-398669 出願人：サンケン電気株式会社

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