特許
J-GLOBAL ID：201003049251578236
シリコンウェーハ及びその製造方法、並びに、半導体デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
鷲頭 光宏
, 緒方 和文
, 黒瀬 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-137558
公開番号（公開出願番号）：特開2010-283296
出願日： 2009年06月08日
公開日（公表日）： 2010年12月16日
要約：
【課題】デバイス後工程で薄型化され、且つ、裏面研磨される半導体デバイス用として好適なシリコンウェーハを提供する。【解決手段】ボロン濃度に基づく比抵抗が2mΩ・cm以上200mΩ・cm以下であるシリコン基板11を用意する工程S11と、シリコン基板11に対し、1×1013atoms/cm2以上5×1015atoms/cm2以下のドーズ量でイオンを注入するイオン注入工程S12と、シリコン基板11のイオン注入を行った側の表面に膜厚が10μm以下のエピタキシャル膜12を形成する工程S13とを備える。これにより、デバイス後工程でシリコン基板11の裏面を研削することによってチップを薄型化し、さらに裏面研磨を施したとしても、デバイス後工程で導入されうる重金属汚染に対して十分なゲッタリング能力を発揮することができる。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
ボロン濃度に基づく比抵抗が2mΩ・cm以上200mΩ・cm以下であるシリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成され、膜厚が10μm以下であり、前記シリコン基板よりも比抵抗が高いエピタキシャル膜と、を備えるシリコンウェーハであって、
前記シリコン基板の前記エピタキシャル膜側の表層には、ドーズ量が1×1013atoms/cm2以上5×1015atoms/cm2以下のイオンが注入されていることを特徴とするシリコンウェーハ。
IPC (2件)：
H01L 21/322
, H01L 21/324
H01L21/322 R
, H01L21/324 X
, H01L21/322 J
