特許
J-GLOBAL ID：201503017824602992
結晶性積層構造体、半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-070469
公開番号（公開出願番号）：特開2015-199649
出願日： 2015年03月30日
公開日（公表日）： 2015年11月12日
要約：
【課題】半導体特性に優れ、結晶性の高い酸化ガリウム系薄膜を含む結晶性積層構造体の提供。【解決手段】下地基板1と、その上に直接又は別の層を介してコランダム構造を有する結晶性酸化物半導体薄膜3とを備え、結晶性酸化物半導体薄膜3の表面粗さ(Ra)が0.1μm以下である結晶性積層構造体であって、下地基板がc面サファイア基板であり、結晶性酸化物半導体薄膜3が、少なくともガリウムを含み、BrおよびIから選択される少なくとも1種からなる異常粒抑制剤を含む結晶性酸化物半導体薄膜3。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下地基板と、その上に直接又は別の層を介してコランダム構造を有する結晶性酸化物半導体薄膜とを備え、
前記結晶性酸化物半導体薄膜の表面粗さ(Ra)が0.1μm以下であることを特徴とする結晶性積層構造体。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
4G077AA03
, 4G077AA08
, 4G077AB01
, 4G077BB10
, 4G077BC60
, 4G077DB01
, 4G077DB30
, 4G077EB01
, 4G077EB03
, 4G077EB05
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077HA12
, 4G077TA04
, 4G077TB01
, 4G077TK01
