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J-GLOBAL ID：200902234136420065   整理番号：08A0996337

α-Al₂O₃基板上での超音波ミスト化学蒸着によるコランダム構造のα-Ga₂O₃薄膜のヘテロエピタクシー

Heteroepitaxy of Corundum-Structured α-Ga₂O₃ Thin Films on α-Al₂O₃ Substrates by Ultrasonic Mist Chemical Vapor Deposition

著者 (2件)： SHINOHARA Daisuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7311-7313  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コランダム構造(三方晶系)のα相Ga₂O₃薄膜を,サファイア(α-Al₂O₃)基板上にエピタキシャルに成長させた。これは,Ga₂O₃は,サファイア上では,βガリア構造(単斜晶系)の不均一結晶構造をとる傾向が強いことと対照的であった。この結果は,高品質薄膜に対して有利であり,低温(430~470°C)でのミスト化学蒸着(CVD)による成長に起因することを記した。このα-Ga₂O₃薄膜は,X線回折ロッキングカーブで狭い半値幅(FWFM)(例えば約60arcsec)を有した。表面の二乗平均(RMS)粗さは1nmであった。フォトニックバンドギャップエネルギーは5.3eVであり,この薄膜は近紫外および可視領域でほぼ完全に透明であった。サファイア上でのα-Ga₂O₃薄膜のエピタキシャル成長は,酸化物の光学素子および電子素子の製造に有益であることを指摘した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： フォトニックバンドギャップ ,  *半導体薄膜 ,  *酸化ガリウム ,  化学蒸着 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  品質 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  半値幅 ,  表面粗さ ,  超音波照射 ,  三方晶系 ,  単斜晶系
準シソーラス用語： 結晶品質 ,  高品質

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (24件)：

• Y. Kokubun, K. Miura, F. Endo, and S. Nakagomi: Appl. Phys. Lett.90(2007)031912.
• T. Oshima, T. Okuno, and S. Fujita: Jpn. J. Appl. Phys.46(2007)7217.
• T. Oshima, T. Okuno, N. Arai, N. Suzuki, S. Ohira, and S. Fujita: Appl. Phys. Express 1(2008)011202.
• C.-C. Chen and C.-C. Chen: J. Mater. Res.19(2004)1105.
• M. Ogita, K. Higo, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka: Appl. Surf. Sci.175(2001)721.

タイトルに関連する用語 (8件)： α-AL2O3 ,  超音波 ,  ミスト ,  化学蒸着 ,  コランダム ,  Ga2O3 ,  薄膜 ,  ヘテロエピタクシー