特許

J-GLOBAL ID：201503018714036831

制御された変性を有する、グラフェンナノリボン

発明者： ローマン ファーゼル ,  パスカル リュフィユー ,  クラウス ミュレン ,  ジンミン ツァイ ,  シンリアン フェン ,  ラインハート ベアガー
出願人/特許権者： ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ,  エーエムペーアー・アイトゲネーシッシェ・マテリアルプリューフングス-ウント・フォルシュングスアンシュタルト ,  マックス-プランク-ゲゼルシャフト・ツア・フェルデルング・デア・ヴィッセンシャフテン・エー・ファオ
代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-513309
公開番号（公開出願番号）：特表2015-525186
出願日： 2013年05月13日
公開日（公表日）： 2015年09月03日
要約：

本発明は、少なくとも1つの変性を有する繰り返し単位を有するグラフェンナノリボンに関し、前記変性は、ヘテロ原子置換、空孔、sp3混成、ストーン・ウェルズ欠陥、逆型ストーン・ウェルズ欠陥、sp2混成した炭素六角網目構造環のサイズ変性、及びこれらの組み合わせから選択される。

請求項（抜粋）：

少なくとも1種の変性を有する繰り返し単位RU1を有するグラフェンナノリボンであって、前記変性が、ヘテロ原子置換、空孔、sp3混成、ストーン・ウェルズ欠陥、逆型ストーン・ウェルズ欠陥、sp2混成した炭素六角網目構造環のサイズ変更、及びこれらの組み合わせから選択される、前記グラフェンナノリボン。

IPC (3件)：

C01B 31/02 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00

FI (3件)：

C01B31/02 101Z ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Fターム (19件)：

4G146AA01 ,  4G146AA15 ,  4G146AB07 ,  4G146AB08 ,  4G146AC03B ,  4G146AC17B ,  4G146AD22 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD30 ,  4G146BA14 ,  4G146BA17 ,  4G146BA20 ,  4G146BA49 ,  4G146BB11 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC32B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-160969   出願人：浦項工科大学校産学協力団

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Atomically precise bottom-up fabrication of graphene nanoribbons