炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-160969
公開番号（公開出願番号）：特開2012-025653
出願日： 2011年07月22日
公開日（公表日）： 2012年02月09日
要約：

【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。【解決手段】基板上にコーティング工程を利用し、高分子膜を形成する段階と、高分子膜上に保護膜を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にコーティング工程を利用して、高分子膜を形成する段階と、前記高分子膜上に保護膜を形成する段階と、前記基板を熱処理し、前記基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法。

IPC (17件)：

C01B 31/02 , B82Y 40/00 , B82Y 20/00 , H01L 51/50 , H05B 33/14 , H05B 33/26 , H05B 33/28 , H05B 33/10 , H05B 33/02 , H01L 51/42 , H01L 29/786 , H01L 51/05 , H01L 51/30 , H01L 51/40 , H01M 4/96 , H01M 4/587 , H01M 4/139

FI (19件)：

C01B31/02 101Z , B82Y40/00 , B82Y20/00 , H05B33/14 A , H05B33/14 Z , H05B33/26 Z , H05B33/28 , H05B33/10 , H05B33/02 , H01L31/04 D , H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E , H01L29/28 310L , H01M4/96 B , H01M4/58 103 , H01M4/02 111

Fターム (110件)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC42 , 3K107CC45 , 3K107DD13 , 3K107DD14 , 3K107DD15 , 3K107DD16 , 3K107DD17 , 3K107DD18 , 3K107DD24 , 3K107DD39 , 3K107DD42X , 3K107DD44X , 3K107DD45X , 3K107DD46X , 3K107FF05 , 3K107FF17 , 3K107GG06 , 3K107GG09 , 3K107GG12 , 3K107GG14 , 3K107GG26 , 3K107GG28 , 4G146AA01 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AC20B , 4G146AD24 , 4G146AD25 , 4G146AD29 , 4G146AD30 , 4G146BA13 , 4G146BA16 , 4G146BA20 , 4G146BA45 , 4G146BB02 , 4G146BB06 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC03 , 4G146BC23 , 4G146BC34A , 4G146BC34B , 4G146BC35A , 4G146BC37A , 4G146BC37B , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146CA02 , 4G146CB01 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110GG01 , 5F110GG05 , 5F110GG20 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK06 , 5F110HK17 , 5F110QQ06 , 5F151AA11 , 5F151BA11 , 5F151DA03 , 5F151DA07 , 5F151FA06 , 5F151FA13 , 5F151FA15 , 5H018AA02 , 5H018BB01 , 5H018BB08 , 5H018DD08 , 5H018EE05 , 5H018EE06 , 5H018EE17 , 5H050AA19 , 5H050BA17 , 5H050CA14 , 5H050CB12 , 5H050DA04 , 5H050FA02 , 5H050FA18 , 5H050GA02 , 5H050GA10 , 5H050GA22 , 5H050HA02 , 5H050HA14

引用特許：

審査官引用 (7件)

複合材料およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-378255 出願人：三菱レイヨン株式会社
繊維状炭素構造体及びその製造方法、並びに、その集合体及び分散体
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-340972 出願人：三菱化学株式会社
単結晶グラフェンシートおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-318418 出願人：三星電子株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (1件)

Microwave plasma chemical vapor deposition of graphitic carbon thin films

前のページに戻る