窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：絹谷信雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-048234
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183149
特許番号：特許第5743928号
出願日： 2012年03月05日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】窒化ガリウム基板上に窒化ガリウムからなるバッファ層と1層以上の窒化物半導体層とを備える窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハにおいて、前記窒化ガリウム基板よりも前記窒化物半導体層の方がオフ角バラツキが小さいと共に、前記窒化ガリウム基板と前記バッファ層との間に、量子ドットからなる窒化インジウムガリウム中間層を備えることを特徴とする窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (2件)：