半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-030428
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168481
特許番号：特許第5741475号
出願日： 2012年02月15日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板と、半導体基板の上面に形成されているアノード電極と、を有するダイオードであって、半導体基板は、半導体基板の上面に露出する範囲に形成されているp型のアノード領域と、アノード領域の下側に形成されているn型のカソード領域、を備え、アノード領域は、低濃度領域と、低濃度領域よりp型不純物濃度が高い複数の第1高濃度領域と、低濃度領域よりp型不純物濃度が高い複数の第2高濃度領域とを有しており、低濃度領域は、その上端がアノード電極に接しており、各第1高濃度領域は、その側面の少なくとも一部が低濃度領域に接しており、その上端がアノード電極に接しており、その下端が低濃度領域の下端よりも深い位置に位置しており、各第2高濃度領域は、その側面の少なくとも一部が低濃度領域に接しており、その上端がアノード電極に接しており、その下端が第1高濃度領域の下端よりも浅い位置に位置している、ダイオード。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/868 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 29/91 D , H01L 29/06 301 G , H01L 29/06 301 V

引用特許：

出願人引用 (2件)

ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-251739 出願人：トヨタ自動車株式会社
ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143624 出願人：富士電機株式会社

審査官引用 (2件)

ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-251739 出願人：トヨタ自動車株式会社
ダイオードとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-143624 出願人：富士電機株式会社

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