特許

J-GLOBAL ID：201503019606722334

磁気抵抗素子

発明者： 園部 義明 ,  喜多 英治
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 大賀 眞司 ,  百本 宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-085698
公開番号（公開出願番号）：特開2015-207593
出願日： 2014年04月17日
公開日（公表日）： 2015年11月19日
要約：

【課題】 固定層から発生する外部磁界を抑制させた磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】 反強磁性結合する複数の磁性層を含み、垂直磁化を保持する固定層と、自由層と、固定層と自由層との間に絶縁層が配置される磁気抵抗素子である。該磁気抵抗素子は、反強磁性結合する複数の磁性層の結晶配向が(001)であることが好ましい。該磁気抵抗素子の、反強磁性結合する複数の磁性層には、Rh膜とNi膜とが含まれることが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

反強磁性結合する複数の磁性層を含み、垂直磁化を保持する固定層と、自由層と、前記固定層と前記自由層との間に絶縁層が配置される磁気抵抗素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/10 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/14

FI (6件)：

H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/10 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14

Fターム (32件)：

4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ01 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA06 ,  5E049AC05 ,  5E049BA30 ,  5E049CB01 ,  5F092AA15 ,  5F092AB02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB12 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB44 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC12 ,  5F092BC18 ,  5F092BE21 ,  5F092CA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-248633   出願人：株式会社東芝
• メモリセル、半導体デバイス構造、メモリシステムおよび作製方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2015-518441   出願人：マイクロンテクノロジー,インク.