特許

J-GLOBAL ID：201003069057203451

磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ

発明者： 小瀬木 淳 一 ,  下 村 尚 治 ,  池 川 純 夫 ,  甲 斐 正 ,  中 山 昌 彦 ,  相 川 尚 徳 ,  岸 達 也 ,  興 田 博 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-248633
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080746
出願日： 2008年09月26日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：

【課題】記憶層にかかる漏れ磁界を可及的に低減することを可能にする。【解決手段】膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層10と、強磁性層上に設けられた第1の非磁性層8と、第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ強磁性層の積層方向の膜厚の1/2.8以上1/1.5以下の膜厚を有する参照層6と、参照層上に設けられた第2の非磁性層8と、第2の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層2と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層と、 前記強磁性層上に設けられた第1の非磁性層と、 前記第1の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ前記強磁性層の積層方向の膜厚の1/2.8以上1/1.5以下の膜厚を有する参照層と、 前記参照層上に設けられた第2の非磁性層と、 前記第2の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層と、 を備えていることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 110

Fターム (29件)：

4M119AA10 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD17 ,  4M119EE23 ,  4M119EE27 ,  4M119HH01 ,  4M119HH04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD12 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC32 ,  5F092BC42 ,  5F092BC46 ,  5F092BE12 ,  5F092BE21 ,  5F092BE27

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-178417   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-172845   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子、該磁気抵抗素子を用いたメモリ素子及び該メモリ素子の記録再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-078472   出願人：キヤノン株式会社
• スピン・トランスファによる垂直磁化磁気素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-500779   出願人：グランディスインコーポレイテッド
• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-236542   出願人：株式会社東芝