メモリセル、半導体デバイス構造、メモリシステムおよび作製方法

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：大菅義之 , 野村泰久
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-518441
公開番号（公開出願番号）：特表2015-521795
出願日： 2013年06月11日
公開日（公表日）： 2015年07月30日
要約：

メモリセルが開示される。メモリセル内の磁気領域は、磁気サブ領域およびカプラーサブ領域の交互の構造を含む。カプラーサブ領域のカプラー材料は、隣接する磁気サブ領域を反強磁性的に接続し、隣接する磁気サブ領域によって示される垂直磁気配向を発生または促進させる。カプラーサブ領域によって相互に間隔を空けて配置された隣接する磁気サブ領域は、反対方向に方向付けられた磁気配向を示す。磁気およびカプラーサブ領域はそれぞれ、磁気領域をコンパクトな構造において形成するように個別調整された厚さであり得る。メモリセル中の自由領域のスイッチング時に磁気領域から出射される磁気双極子場間の干渉を低減または排除することができる。また、半導体デバイス構造、スピントルク伝達磁気ランダムアクセスメモリ(STTMRAM)システムおよび作製方法も開示される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

半導体デバイスであって、少なくとも1つのメモリセルであって、前記少なくとも1つのメモリセルは、磁気材料およびカプラー材料の交互の構造を含む磁気領域であって、前記磁気領域は垂直磁気配向を示す。を含む、少なくとも1つのメモリセル、を含む、半導体デバイス。

IPC (4件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z

Fターム (39件)：

4M119AA03 , 4M119AA10 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119GG01 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 4M119HH05 , 4M119KK04 , 5F092AA15 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC46 , 5F092BE27

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気記録素子、磁気記録装置、および情報の記録方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-368190 出願人：株式会社東芝
磁気抵抗素子及び磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-178615 出願人：株式会社東芝
磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-202344 出願人：三星電子株式会社

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