特許
J-GLOBAL ID：201503019696617810

トランジスタ

発明者：
イーフェン ウー

イーフェン ウー について

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プリミット パリーク

プリミット パリーク について

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ウメシュ ミシュラ

ウメシュ ミシュラ について

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マーシャ ムーア

マーシャ ムーア について


出願人/特許権者：
クリー インコーポレイテッド

クリー インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-157890
公開番号（公開出願番号）：特開2012-235153
特許番号：特許第5809608号
出願日： 2012年07月13日
公開日（公表日）： 2012年11月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 複数の半導体層と、 前記複数の半導体層の上のソース電極およびドレイン電極と、 前記複数の半導体層の上にあり、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のゲートと、 前記ゲートおよび前記ドレイン電極の間にある前記複数の半導体層の表面の少なくとも一部を覆う、または、前記ゲートおよび前記ソース電極の間にある前記複数の半導体層の表面の少なくとも一部を覆うスペーサ層と、 前記スペーサ層上のフィールドプレートと、 前記複数の半導体層により覆われた領域の外側を延びており、かつ、前記フィールドプレートと前記ソース電極の間において前記フィールドプレートを前記ソース電極に電気的に接続し、かつ、前記ソース電極に直接接続される、導電性経路と を備えるトランジスタ。
IPC (6件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 29/778 ( 200 6.01) ,  H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 29/41 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/80 F ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/06 301 F ,  H01L 29/44 Y ,  H01L 21/28 301 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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