特許
J-GLOBAL ID：201503020216662487

シリコン単結晶の製造方法

発明者：
竹安 志信

竹安 志信 について

, 
岩崎 淳

岩崎 淳 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-037808
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173631
特許番号：特許第5776586号
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 分割式の黒鉛ルツボに石英ルツボを内挿し、該石英ルツボ内に多結晶シリコンを充填し、ヒーターで前記多結晶シリコンを加熱溶融して、シリコン融液とし、該シリコン融液に種結晶を浸漬し、該種結晶を上方に引上げてシリコン単結晶を成長させ、該シリコン単結晶の成長終了後、前記黒鉛ルツボから前記石英ルツボを取り除くことをバッチ式に繰返し行うシリコン単結晶の製造方法であって、 前記黒鉛ルツボに前記石英ルツボを内挿する前に、前記黒鉛ルツボの分割面の隙間を覆うように前記分割面に沿って、帯状の保護シートを配置する工程と、前記シリコン単結晶の成長終了後、前記黒鉛ルツボから前記石英ルツボと共に前記保護シートを取り除く工程とを有し、 2バッチ目以降の前記保護シートを配置する工程において、前バッチのシリコン単結晶成長の際の前記保護シートの端部の位置とは異なる位置に、端部の位置がなるようにずらして前記保護シートを配置し、 前記保護シートとして、前記黒鉛ルツボの内径の10%以上、25%以下の幅を有する保護シートを用い、 前記保護シートを配置する工程において、幅の違う2種類の前記保護シートを交互に、または3種類以上の前記保護シートを順番に使用することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  C30B 15/12 ( 200 6.01)
FI (2件)：
C30B 29/06 502 B ,  C30B 15/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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