スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：松山圭佑 , 高矢諭 , 牧野剛博 , 藤田崇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-095566
公開番号（公開出願番号）：特開2015-212409
出願日： 2014年05月02日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：

【課題】保磁力Hcの大きい磁性薄膜を作製可能で、アニール処理することにより保磁力Hcを大きくできるスパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。【解決手段】グラニュラ構造の磁性薄膜(垂直磁気記録膜)中の磁性結晶粒を、現状の磁性薄膜(垂直磁気記録膜)で用いられているCoPtCr合金で形成するのではなく、Crを用いないCoPt合金で形成する。磁性結晶粒をCoPt合金で形成してCoPt-酸化物膜を作製する場合に用いる酸化物としては、WO3及びTiO2が良好であり、その中でも特にWO3が良好である。すなわちCo、Pt、及び酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットであって、Crを含有せず、また、前記酸化物は、WO3及びTiO2のうちの少なくともいずれか一方を有するスパッタリングターゲット。【選択図】図5

請求項（抜粋）：

Co、Pt、および酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットであって、 Crを含有せず、また、前記酸化物は、WO3およびTiO2のうちの少なくともいずれか一方を有してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (7件)：

C23C 14/34 , C23C 14/14 , C04B 35/00 , C22C 5/04 , C22C 1/05 , B22F 3/14 , C22C 19/07

FI (7件)：

C23C14/34 A , C23C14/14 F , C04B35/00 J , C22C5/04 , C22C1/05 A , B22F3/14 A , C22C19/07 C

Fターム (31件)：

4G030AA16 , 4G030AA24 , 4G030AA61 , 4G030BA02 , 4G030GA09 , 4G030GA29 , 4K018AA02 , 4K018AA10 , 4K018AB01 , 4K018AC01 , 4K018BA01 , 4K018BA04 , 4K018BB04 , 4K018BC12 , 4K018EA02 , 4K018KA29 , 4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA13 , 4K029BA16 , 4K029BA24 , 4K029BA46 , 4K029BA64 , 4K029BB02 , 4K029BB07 , 4K029BC06 , 4K029BD11 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029GA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

垂直磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-067388 出願人：ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッド
CoPt系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにこれを用いた磁気記録膜およびCoPt系磁気記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-085414 出願人：日立金属株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

前のページに戻る