特許
J-GLOBAL ID：201503020668546093

スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者：
キム コング

キム コング について

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山本 俊哉

山本 俊哉 について

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齊藤 伸

齊藤 伸 について

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日向 慎太朗

日向 慎太朗 について

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高橋 研

高橋 研 について


出願人/特許権者：
田中貴金属工業株式会社

田中貴金属工業株式会社 について

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国立大学法人東北大学

国立大学法人東北大学 について


代理人 (4件)： 松山 圭佑 ,  高矢 諭 ,  牧野 剛博 ,  藤田 崇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-095566
公開番号（公開出願番号）：特開2015-212409
出願日： 2014年05月02日
公開日（公表日）： 2015年11月26日
要約：
【課題】保磁力Hcの大きい磁性薄膜を作製可能で、アニール処理することにより保磁力Hcを大きくできるスパッタリングターゲット及びその製造方法の提供。【解決手段】グラニュラ構造の磁性薄膜(垂直磁気記録膜)中の磁性結晶粒を、現状の磁性薄膜(垂直磁気記録膜)で用いられているCoPtCr合金で形成するのではなく、Crを用いないCoPt合金で形成する。磁性結晶粒をCoPt合金で形成してCoPt-酸化物膜を作製する場合に用いる酸化物としては、WO3及びTiO2が良好であり、その中でも特にWO3が良好である。すなわちCo、Pt、及び酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットであって、Crを含有せず、また、前記酸化物は、WO3及びTiO2のうちの少なくともいずれか一方を有するスパッタリングターゲット。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
Co、Pt、および酸化物を含有してなるスパッタリングターゲットであって、 Crを含有せず、 また、前記酸化物は、WO3およびTiO2のうちの少なくともいずれか一方を有してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (7件)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  C04B 35/00 ,  C22C 5/04 ,  C22C 1/05 ,  B22F 3/14 ,  C22C 19/07
FI (7件)：
C23C14/34 A ,  C23C14/14 F ,  C04B35/00 J ,  C22C5/04 ,  C22C1/05 A ,  B22F3/14 A ,  C22C19/07 C
Fターム (31件)：
4G030AA16 ,  4G030AA24 ,  4G030AA61 ,  4G030BA02 ,  4G030GA09 ,  4G030GA29 ,  4K018AA02 ,  4K018AA10 ,  4K018AB01 ,  4K018AC01 ,  4K018BA01 ,  4K018BA04 ,  4K018BB04 ,  4K018BC12 ,  4K018EA02 ,  4K018KA29 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA13 ,  4K029BA16 ,  4K029BA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BA64 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029GA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)
引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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