特許

J-GLOBAL ID：201503020724494654

太陽電池及びその製造方法

発明者： ベク チャンギ ,  イム テウク ,  ゴ ミョンドン ,  ジョン ユンハ ,  バク スヨン ,  チェ ソンウク
出願人/特許権者： ポハン工科大学校産学協力団
代理人 (1件)： 井関 勝守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-527062
特許番号：特許第5820075号
出願日： 2012年08月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板と、 前記基板の前面上に、前記基板に対して垂直方向に離隔配置された複数個のナノワイヤを含むp型半導体層と、 前記複数個のナノワイヤの表面に沿って前記p型半導体層上に位置するn型半導体層と、 を含み、 前記複数のナノワイヤのそれぞれは、傾斜している側壁、および上部から下部へ行くほど直径が減少する部分を有し、 前記下部の直径は、5nm〜20nmであることを特徴とする太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/0352 ( 200 6.01) ,  B82B 1/00 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 31/04 342 B ,  B82B 1/00 ZNM

引用特許：

出願人引用 (4件)

• シリコン基体の加工方法、溝構造を有するシリコン基体、光学素子成形金型、シリコン製光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025861   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 薄膜の積層
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-500784   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜光起電力デバイスおよび関連製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-545268   出願人：ンリテンエナジーコーポレイション
• ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-106213   出願人：本田技研工業株式会社, 国立大学法人北海道大学

審査官引用 (4件)

• シリコン基体の加工方法、溝構造を有するシリコン基体、光学素子成形金型、シリコン製光学素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-025861   出願人：コニカミノルタホールディングス株式会社
• 薄膜の積層
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2011-500784   出願人：シャープ株式会社
• 薄膜光起電力デバイスおよび関連製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-545268   出願人：ンリテンエナジーコーポレイション
• ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-106213   出願人：本田技研工業株式会社, 国立大学法人北海道大学