特許
J-GLOBAL ID:201503020737212330

スタック型マルチチップ集積回路の静電気保護

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 村山 靖彦 ,  黒田 晋平
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2015-535786
公開番号(公開出願番号):特表2015-532534
出願日: 2013年10月03日
公開日(公表日): 2015年11月09日
要約:
1つの特徴は、少なくとも第1の集積回路(IC)ダイおよび第2のICダイを含むマルチチップモジュールに関する。第2のICダイは、基板貫通ビアによって第1のICダイに電気的に結合された入力/出力(I/O)ノードを有する。第2のダイのアクティブ表面は、I/Oノードに電気的に結合され、静電放電(ESD)によって生じるダメージから第2のICダイを保護するように構成されたヒューズも含む。詳細には、ヒューズは、マルチチップモジュールの製造中に第1のダイを第2のダイに電気的に結合する結果として生成され得るESDから第2のICダイを保護する。第1のダイを第2のダイに結合すると、ヒューズは、ESDによって生成されたESD電流をグランドにバイパスすることができる。マルチチップモジュールのパッケージングが完了した後、ヒューズを破断させて開放することができる。
請求項(抜粋):
第1の集積回路(IC)ダイと、 基板貫通ビア(TSV)によって前記第1のICダイに電気的に結合された入力/出力(I/O)ノードを有する第2のICダイと、 前記I/Oノードに電気的に結合された前記第2のICダイのアクティブ表面上のヒューズであって、静電放電(ESD)によって生じるダメージから前記第2のICダイを保護するように構成されるヒューズと を含む、マルチチップモジュール。
IPC (9件):
H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
FI (4件):
H01L27/04 H ,  H01L21/82 F ,  H01L21/88 J ,  H01L25/08 C
Fターム (32件):
5F033MM30 ,  5F033VV05 ,  5F033VV07 ,  5F033VV11 ,  5F033WW00 ,  5F033WW08 ,  5F033XX00 ,  5F038AV15 ,  5F038BE07 ,  5F038BH01 ,  5F038BH04 ,  5F038BH13 ,  5F038CA10 ,  5F038CA12 ,  5F038CD02 ,  5F038CD08 ,  5F038CD12 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB26 ,  5F064BB35 ,  5F064CC01 ,  5F064CC21 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064DD42 ,  5F064EE42 ,  5F064FF27 ,  5F064FF30 ,  5F064FF32 ,  5F064FF45
引用特許:
審査官引用 (5件)
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