特許

J-GLOBAL ID：201503020889227374

半導体装置

発明者： 郷戸 宏充 ,  井上 卓之
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-182906
公開番号（公開出願番号）：特開2015-008327
出願日： 2014年09月09日
公開日（公表日）： 2015年01月15日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた好適な構造のnチャネル型トランジスタおよびpチャネル型トランジスタを提供することを目的の一とする。【解決手段】第1の酸化物半導体層と電気的に接続し、第1の材料を含む第1の導電層と第2の材料を含む第2の導電層の積層構造でなる第1のソース電極またはドレイン電極と、第2の酸化物半導体層と電気的に接続し、第1の材料を含む第3の導電層と第2の材料を含む第4の導電層の積層構造でなる第2のソース電極またはドレイン電極と、を有し、第1の酸化物半導体層には、第1のソース電極またはドレイン電極の第1の導電層が接触し、第2の酸化物半導体層には、第2のソース電極またはドレイン電極の第3の導電層および第4の導電層が接触する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上方の第1の導電層と、 前記基板上方の第2の導電層と、 前記第1の導電層上方及び前記第2の導電層上方の絶縁層と、 前記絶縁層上方の第1の酸化物半導体材料を含む第1の層と、 前記第1の層上方の第3の導電層と、 前記第3の導電層上方の第4の導電層と、 前記第4の導電層上方の第2の酸化物半導体材料を含む第2の層と、を有し、 前記第1の導電層は、前記絶縁層を介して前記第1の層と重なる領域を有し、 前記第2の導電層は、前記絶縁層を介して前記第2の層と重なる領域を有し、 前記第3の導電層は、前記第1の層と接する領域を有し、 前記第4の導電層は、前記第3の導電層と接する領域を有し、 前記第2の層は、前記第4の導電層と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/08

FI (5件)：

H01L29/78 613A ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/78 616U ,  H01L27/08 321N ,  H01L27/08 331E

Fターム (61件)：

5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC18 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF16 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE23 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN02 ,  5F110NN16 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-284538   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 集積無機/有機相補型薄膜トランジスタ回路およびその製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-555282   出願人：シンフイルムエレクトロニクスエイエスエイ