特許
J-GLOBAL ID：201503021143617778

自立基板の製造方法および自立基板

発明者：
石原 裕次郎

石原 裕次郎 について

, 
藤山 泰治

藤山 泰治 について


出願人/特許権者：
古河機械金属株式会社

古河機械金属株式会社 について


代理人 (1件)： 速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-097384
公開番号（公開出願番号）：特開2015-214441
出願日： 2014年05月09日
公開日（公表日）： 2015年12月03日
要約：
【課題】本発明は、n型不純物を高濃度で含有すると共に、結晶品質に優れた自立基板を提供するものである。【解決手段】自立基板の製造方法は、III族窒化物半導体からなる下地基板210を準備する工程と、下地基板210上に、ハイドライド気相成長法により、III族窒化物半導体層250を形成する工程とを含む。III族窒化物半導体層250を形成する工程は、n型不純物の濃度が5×1018cm-3以上であり、厚さが50μm以上である高濃度領域220を形成する工程を含む。高濃度領域220を形成する工程では、成長温度を1120°C以上とする。自立基板の貫通転位密度を5×106cm-2以下とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
III族窒化物半導体からなる下地基板を準備する工程と、 前記下地基板上に、ハイドライド気相成長法により、III族窒化物半導体層を形成する工程とを含み、 前記III族窒化物半導体層を形成する工程は、n型不純物の濃度が5×1018cm-3以上であり、厚さが50μm以上である高濃度領域を形成する工程を含み、 前記高濃度領域を形成する工程では、成長温度を1120°C以上とし、 貫通転位密度を5×106cm-2以下とする自立基板の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  C30B 25/16 ,  C30B 33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/16 ,  C30B33/00
Fターム (23件)：
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EA01 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EH05 ,  4G077EH06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TA08 ,  4G077TB04 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TJ03 ,  4G077TJ06 ,  4G077TK11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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