特許
J-GLOBAL ID：200903084200593035
III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-300461
公開番号（公開出願番号）：特開2009-126723
出願日： 2007年11月20日
公開日（公表日）： 2009年06月11日
要約：
【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される(ステップS1)。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素(SiCl4)ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶が成長される(ステップS2)。この第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
下地基板を準備する工程と、
気相成長法により前記下地基板上に、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備え、
前記第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である、III族窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (31件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077AB06
, 4G077AB08
, 4G077BE15
, 4G077DB05
, 4G077EB01
, 4G077EB06
, 4G077ED06
, 4G077EF03
, 4G077FG13
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA12
, 4G077TB03
, 4G077TC02
, 4G077TC13
, 4G077TK01
, 4G077TK11
, 4K030AA03
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA20
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB02
, 4K030CA04
, 4K030CA05
審査官引用 (1件)
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財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17
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