特許
J-GLOBAL ID:200903084200593035

III族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-300461
公開番号(公開出願番号):特開2009-126723
出願日: 2007年11月20日
公開日(公表日): 2009年06月11日
要約:
【課題】抵抗率の制御を容易にすることにより抵抗率を低くでき、かつ抵抗率の面内分布の悪化を防止できるIII族窒化物半導体結晶の成長方法、III族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびIII族窒化物半導体結晶基板を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される(ステップS1)。そして、気相成長法により下地基板上に、四塩化珪素(SiCl4)ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶が成長される(ステップS2)。この第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である。【選択図】図3
請求項(抜粋):
下地基板を準備する工程と、 気相成長法により前記下地基板上に、四塩化珪素ガスをドーピングガスとして用いることによりシリコンをドーピングした第1のIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程とを備え、 前記第1のIII族窒化物半導体結晶の成長速度が200(μm/h)以上2000(μm/h)以下である、III族窒化物半導体結晶の成長方法。
IPC (2件):
C30B 29/38 ,  C23C 16/34
FI (2件):
C30B29/38 D ,  C23C16/34
Fターム (31件):
4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB08 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FG13 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA20 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (2件)
引用文献:
審査官引用 (1件)
  • 財団法人新機能素子研究開発協会委託調査 GaNパワー用結晶材料・デバイスに関する技術調査報告書(要約, 20070330, p.9-17

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