特許
J-GLOBAL ID:201403055767966347
窒化物結晶の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-236354
公開番号(公開出願番号):特開2014-062023
出願日: 2012年10月26日
公開日(公表日): 2014年04月10日
要約:
【課題】アモノサーマル法において、窒化物結晶を製造する際に用いる結晶原料の条件を制御することにより成長速度を向上させ、原料利用効率を高めて、品質および導電性の優れた窒化物結晶を効率良く製造する方法を提供する。【解決手段】窒化物結晶原料8を反応容器20の原料充填領域9に充填し、反応容器20中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法であって、窒化物結晶原料8を原料充填領域9に0.7〜4.5g/cm3の嵩密度で充填して結晶成長を行う。【選択図】図1
請求項(抜粋):
窒化物結晶原料を反応容器の原料充填領域に充填し、反応容器中で超臨界および/または亜臨界状態の溶媒存在下にて結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法であって、前記窒化物結晶原料を原料充填領域に0.7〜4.5g/cm3の嵩密度で充填して結晶成長を行うことを特徴とする、窒化物結晶の製造方法。
IPC (3件):
C30B 29/38
, C30B 7/10
, H01L 21/208
FI (3件):
C30B29/38 D
, C30B7/10
, H01L21/208 Z
Fターム (20件):
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CB01
, 4G077CB04
, 4G077EC01
, 4G077EC10
, 4G077EG25
, 4G077EH09
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077KA01
, 4G077KA03
, 4G077KA11
, 5F053AA50
, 5F053BB01
, 5F053DD20
, 5F053GG02
, 5F053HH01
, 5F053PP03
引用特許: