ナノ要素の電界誘導組立てによって調製された3次元結晶性、均一および複合ナノ構造体

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：秋元輝雄 , 吉澤大輔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-520625
公開番号（公開出願番号）：特表2015-531816
出願日： 2013年07月01日
公開日（公表日）： 2015年11月05日
要約：

【課題】種々の均一なまたは層状のハイブリッドナノ構造体を電界誘導アッセンブリ法によって組立てる。【解決手段】ナノ要素、およびナノ構造体は、導電性、半導電性または絶縁性、或いはそれらの組合せである。アッセンブリ・プロセスを促進する因子は同じで、電界の最適化、および誘電泳動および電気泳動力の組合せで組立てを行なう。組立て方法は、迅速かつ量産可能である。得られたナノ構造体は、ナノスケールのエレクトロニクス、光学系、バイオセンサに大いに有用な電気、光学的性質を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ナノ要素の電界誘導アッセンブリによる製造方法であって、前記方法は以下のステップを含む: ベース層、ベース層に堆積された導電層、および導電層に堆積された絶縁層を含むナノ基板を提供するステップで、前記絶縁層は、ビアを含み、ビアは絶縁層に空隙を形成し、導電層を曝露する絶縁層を通る通路を定義し; 前記ナノ基板を第1のナノ要素の水溶性懸濁液と接触させるステップ; 前記導電層および懸濁液中の電極間に、懸濁液から第1のナノ要素のビアおよびビア内の前記アッセンブリへの移動に十分な時間、電界を印加するステップで、前記電界は、DCオフセット電圧およびAC電圧の和からなり;および前記アッセンブリの後で、前記第1のナノ要素とは異なる第2のナノ要素の水溶性懸濁液を用いて、前記接触するステップ、および前記電界を印加するステップを繰り返すステップで、それによって、ハイブリッドナノ構造体を得る。

IPC (9件)：

C25D 1/12 , B82Y 30/00 , B82Y 40/00 , H01L 21/368 , H01L 21/312 , H01L 21/316 , C25D 13/00 , B22F 1/00 , G01N 21/41

FI (9件)：

C25D1/12 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/368 Z , H01L21/312 Z , H01L21/316 B , C25D13/00 309 , B22F1/00 K , G01N21/41 102

Fターム (31件)：

2G059AA05 , 2G059BB12 , 2G059CC17 , 2G059DD13 , 2G059EE02 , 2G059EE04 , 4K018BA01 , 4K018BB01 , 4K018BB05 , 4K018BD04 , 4K018KA32 , 5F053AA50 , 5F053DD01 , 5F053DD03 , 5F053DD14 , 5F053DD20 , 5F053FF10 , 5F053GG06 , 5F053LL10 , 5F053PP03 , 5F058AC10 , 5F058AD02 , 5F058AD09 , 5F058AD12 , 5F058AF10 , 5F058AG01 , 5F058BC01 , 5F058BD01 , 5F058BD03 , 5F058BF42 , 5F058BH01

引用特許：

出願人引用 (11件)

細孔内への電着方法及び構造体
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-019243 出願人：キヤノン株式会社
電気泳動堆積法により電気絶縁性基材に粒子を堆積させる方法及びそれから得られる複合体
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-069011 出願人：八尾健, 小澤尚志, ティーアンドティーアソシエイツ有限会社
ナノ構造材料のための堆積方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-573718 出願人：ザユニバーシティオブノースカロライナアットチャペルヒル, シンテック,インコーポレイテッド

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