特許
J-GLOBAL ID：200903032727391171

セラミック薄膜の製造方法および積層セラミック電子部品の製造方法

発明者：
周 化冰

周 化冰 について

, 
中川 卓二

中川 卓二 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-334062
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101348
出願日： 2003年09月25日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 膜厚を薄くしてもピンホールのない緻密なセラミック薄膜を、高い温度での焼成工程を経ずに製造する方法を提供する。【解決手段】 セラミック結晶粒子の単分散溶液である電着液15に基板31と陽極14とを浸漬し、パルス電流を通電して基板31上にセラミック結晶粒子を堆積させてセラミック薄膜を得る。さらに、これを焼結温度以下の温度で熱処理する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セラミック結晶粒子を分散させた電着液中に基板と電極とを浸漬し、前記基板と前記電極との間にパルス電流を通電させて前記基板上に前記セラミック結晶粒子を堆積させることを特徴とするセラミック薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01G4/30 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12
FI (4件)：
H01G4/30 311Z ,  H01G4/30 311D ,  C04B41/88 F ,  H01G4/12 364
Fターム (13件)：
5E001AB03 ,  5E001AH00 ,  5E001AH07 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E082AB03 ,  5E082BC38 ,  5E082EE05 ,  5E082EE39 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5E082FG41 ,  5E082FG56
引用特許：
出願人引用 (9件)
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