特許
J-GLOBAL ID：201503021373761028

半導体装置

発明者：
嘉屋 旨哲

嘉屋 旨哲 について

, 
中原 寧

中原 寧 について

, 
新家 東

新家 東 について

, 
神田 良

神田 良 について

, 
栗原 智敦

栗原 智敦 について

, 
戸田 鉄

戸田 鉄 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-225360
公開番号（公開出願番号）：特開2015-088597
出願日： 2013年10月30日
公開日（公表日）： 2015年05月07日
要約：
【課題】PN接合を用いることなく、第1回路の電源電圧と第2回路の電源電圧とを分離することができ、かつ半導体装置が大型化することを抑制する。【解決手段】整流素子HRDは、第2導電型層LDR2、第1の高濃度第2導電型領域HDF1、第2の高濃度第2導電型領域HDF2、素子分離膜EI2、第1絶縁層CGINS、及び第1導電膜CGを備えている。第1の高濃度第2導電型領域HDF1には第1コンタクトCON1が接続しており、第2の高濃度第2導電型領域HDF2には第2コンタクトCON2が接続しており、第1導電膜CGには第3コンタクトCON3が接続している。そして、第1コンタクトCON1、第2コンタクトCON2、及び第3コンタクトCON3は、互いに分離している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の基板と、 前記基板に形成され、電源電位が第1電圧である第1回路が形成されている第1回路領域と、 前記第1回路領域を囲んでいる分離領域と、 前記基板に形成され、平面視で前記分離領域の外側に位置し、電源電位が前記第1電圧よりも低い第2電圧である第2回路が形成されている第2回路領域と、 を備え、 前記分離領域は、 前記基板に形成された第2導電型層と、 前記第2導電型層に形成された第1の高濃度第2導電型領域と、 前記第2導電型層に形成され、前記第1の高濃度第2導電型領域から離れている第2の高濃度第2導電型領域と、 前記基板に形成され、前記第1の高濃度第2導電型領域と前記第2の高濃度第2導電型領域の間に位置し、かつ前記第2の高濃度第2導電型領域から離れている素子分離膜と、 前記基板のうち前記第2の高濃度第2導電型領域と前記素子分離膜の間に位置する領域の上に形成された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜の上に形成された第1導電膜と、 前記第1の高濃度第2導電型領域に接続している第1コンタクトと、 前記第2の高濃度第2導電型領域に接続している第2コンタクトと、 前記第1導電膜に接続している第3コンタクトと、 を備え、 前記第1コンタクト、前記第2コンタクト、及び前記第3コンタクトは、互いに分離している半導体装置。
IPC (9件)：
H01L 21/76 ,  H03K 17/687 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 21/761 ,  H01L 29/41
FI (8件)：
H01L21/76 M ,  H03K17/687 Z ,  H01L27/04 A ,  H01L27/04 H ,  H01L27/08 331B ,  H01L27/08 102A ,  H01L21/76 J ,  H01L29/44 Y
Fターム (55件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD91 ,  4M104FF09 ,  4M104FF10 ,  4M104FF35 ,  4M104GG09 ,  4M104GG14 ,  4M104GG18 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20 ,  5F032AA13 ,  5F032AB01 ,  5F032CA14 ,  5F032CA17 ,  5F032CA18 ,  5F032CA24 ,  5F032DA12 ,  5F032DA43 ,  5F038BG04 ,  5F038BH09 ,  5F038BH15 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CD02 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA04 ,  5F048AA05 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BB20 ,  5F048BC03 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG00 ,  5F048BG12 ,  5F048BH01 ,  5F048BH04 ,  5J055AX00 ,  5J055AX44 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055EY01 ,  5J055EY21 ,  5J055FX19 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX04 ,  5J055GX07 ,  5J055GX08
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM