特許
J-GLOBAL ID:201503021709483340
SrAuSi3、RAuSi3及びBaNiSn3型結晶構造物質
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-147442
公開番号(公開出願番号):特開2015-020915
出願日: 2013年07月16日
公開日(公表日): 2015年02月02日
要約:
【課題】空間反転対称性のない結晶構造を有する超伝導体を、BaNiSn3型結晶構造物質から得ること。【解決手段】 組成が式:SrAuSi3 で表されると共に、その結晶がHermann-Mauguinの記号でI4mmで表され、 体心正方格子の原点と中心にストロンチウムが位置し、 金を中心としたピラミッド構造の5配位多面体の各頂点を第1類型のケイ素(Si(1):ピラミッド頂点)と第2類型のケイ素(Si(2):ピラミッド底面)とで構成することを特徴とするBaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3。【選択図】図2
請求項(抜粋):
組成が式:
SrAuSi3
で表されると共に、その結晶がHermann-Mauguinの記号でI4mmで表され、
体心正方格子の原点と中心にストロンチウムが位置し、
金を中心としたピラミッド構造の5配位多面体の各頂点を第1類型のケイ素(Si(1):ピラミッド頂点)と第2類型のケイ素(Si(2):ピラミッド底面)とで構成することを特徴とするBaNiSn3型結晶構造のSrAuSi3。
IPC (3件):
C01B 33/06
, C22C 5/04
, B22F 3/23
FI (3件):
C01B33/06
, C22C5/04
, B22F3/23
Fターム (21件):
4G047JA02
, 4G047JC16
, 4G047KB01
, 4G047KB04
, 4G047KB13
, 4G047KB16
, 4G072AA20
, 4G072GG01
, 4G072HH01
, 4G072HH02
, 4G072JJ09
, 4G072RR30
, 4G072TT30
, 4G072UU30
, 4K018AA02
, 4K018BA01
, 4K018BA11
, 4K018BA20
, 4K018DA12
, 4K018EA19
, 4K018KA36
引用特許:
審査官引用 (1件)
-
酸化物超伝導薄膜
公報種別:公開公報
出願番号:特願2011-241738
出願人:独立行政法人国立高等専門学校機構, 独立行政法人産業技術総合研究所
前のページに戻る